Vishay推出一统式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界美妙水平。提高功率密度和效率

2020-10-28 09:10:25 泉源:Vishay
2020年10月27日 — 不久前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布。推出新型40 V n短沟道效应MOSFET半桥功率级---SiZ240DT,调用来提高白色家电以及医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm单体打包中一统高边和低边MOSFET,导通电阻和导通电阻与地磁极电荷乘积,即功率撤换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)达到业界美妙水平。
 
SiZ240DT中的两个性感女郎TrenchFET® MOSFET内部行使半桥配置连接。SiZ240DT的通道1 MOSFET,通常用作同声降压字体撤换器在线撤换的控制开关。10 V时最大导通电阻为8.05 mΩ,4.5 V时为12.25 mΩ。通道2 MOSFET。通常用作同声开关,10 V时导通电阻为8.41 mΩ,4.5 V时为13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低16 %。结合6.9 nC(通道1)和6.5 nC(通道2)低地磁极电荷,导通电阻与地磁极电荷乘积FOM比安身第二的器件低14 %,推涛作浪提高轻捷开关应用的效率。
 
不久前发布的双MOSFET比行使6 mm x 5 mm打包的双器件小65 %,是目前应用市场上体积最小的一统产品其一。除用于同声降压,DC/DC撤换半桥功率级之外,新型器件还为设计师的婚纱供给节省空间的飞凌开拓板,适用于真空传感器,无人机图片,电动扳手,家庭/办公系统化和非植入式医疗设备配件的电机控制,以及电信设备和监听器的无线苹果充电器和开关电源
 
一统式MOSFET行使无导线内部结构,最大限度降低寄生电感厂家实现频繁开关,从而核减磁器件和最终设计的尺寸。其优化的Qgd / Qgs比降低噪音,越是增强器件的开关特性。SiZ240DT经过100 % Rg和UIS测试,符合RoHS弹簧支吊架标准,无卤素。
 
新型双MOSFET现可供给样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。
 
VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立超导体和无源元器件系列产品运销商其一。这些产品对于汽车,计算,通信,航空航天和医疗应用市场的创新设计不可或缺。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of techÔ。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的周详信息,敬请览胜网站 www.vishay.com


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