台积电3纳米制程进度提前

2021-02-19 14:48:08 来源：MoneyDJ

台积电董事长刘德音近日于《2021年国际固态电路会议（ISSCC 2021）》开场线上专题演说时表示，台积电3纳米制程依照计划时程发展，甚至比预期进度超前了一些，有信心包括3纳米及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。

刘德音在「释放创新未来（Unleash the Future of Innovation）」的演说主题中指出，半导体制程微缩的脚步并未减缓，集成电路的功耗，性能及晶体管密度仍持续进步，台积电的3纳米比预期进度超前，至于2纳米之后的晶体管架构将转向环绕闸极（GAA）的纳米薄片（nano-sheet）架构。

刘德音也指出，藉由紫外光微影（EUV）技术，产业界已打破前一代微影技术的尺寸限制，但产量仍是一个问题；EUV 可使用较少层数的光罩，使成本达到理想的水准，但EUV 功耗极大，为此，台积电已取得350W 照明光源技术突破，将可支援5纳米量产甚至到1纳米节点。

在材料技术革新方面，刘德音指出，材料的创新将推动芯片技术持续向前迈进，低维度材料包括六方氮化硼（hBN）等2D 材料，已接近实现量产；台积电已与台湾地区学界团队合作，成功以大面积晶圆尺寸生长单晶氮化硼，成果并已获刊于国际学术期刊《Nature》；而低温制程则将实现晶圆级的逻辑与存储器活性层（active layer）堆叠，打造真正的3D IC；此外，他也强调了小芯片（Chiplet）在实现特定领域解决方案上的重要性。

展望未来，刘德音表示，3D 芯片堆叠会是重点，而透过台积电的SoIC（system on IC），低温键合（bonding）制程，可实现3D 芯片堆叠。

关键词：台积电 3纳米半导体

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