台积电3纳米制程进度提前

2021-02-19 14:48:08 来源:MoneyDJ
台积电董事长刘德音近日于《2021年国际固态电路会议(ISSCC 2021)》开场线上专题演说时表示,台积电3纳米制程依照计划时程发展,甚至比预期进度超前了一些,有信心包括3纳米及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。

刘德音在「释放创新未来(Unleash the Future of Innovation)」的演说主题中指出,半导体制程微缩的脚步并未减缓,集成电路的功耗,性能及晶体管密度仍持续进步,台积电的3纳米比预期进度超前,至于2纳米之后的晶体管架构将转向环绕闸极(GAA)的纳米薄片(nano-sheet)架构。

刘德音也指出,藉由紫外光微影(EUV)技术,产业界已打破前一代微影技术的尺寸限制,但产量仍是一个问题;EUV 可使用较少层数的光罩,使成本达到理想的水准,但EUV 功耗极大,为此,台积电已取得350W 照明光源技术突破,将可支援5纳米量产甚至到1纳米节点。

在材料技术革新方面,刘德音指出,材料的创新将推动芯片技术持续向前迈进,低维度材料包括六方氮化硼(hBN)等2D 材料,已接近实现量产;台积电已与台湾地区学界团队合作,成功以大面积晶圆尺寸生长单晶氮化硼,成果并已获刊于国际学术期刊《Nature》;而低温制程则将实现晶圆级的逻辑与存储器活性层(active layer)堆叠,打造真正的3D IC;此外,他也强调了小芯片(Chiplet)在实现特定领域解决方案上的重要性。

展望未来,刘德音表示,3D 芯片堆叠会是重点,而透过台积电的SoIC(system on IC),低温键合(bonding)制程,可实现3D 芯片堆叠。
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