三星1z纳米EUV LPDDR5工艺规格曝光

2021-02-20 11:38:38 来源:EETOP

经过几个月的等待,我们终于看到三星电子将极紫外(EUV)光刻技术应用于D1z DRAM的大规模量产。这是对他们的DRAM内存技术的重大变革,这种技术出现在他们最新的手机型号中,包括三星Galaxy S21 5G系列;S21 5G,S21+ 5G以及于2021年1月刚刚发布的S21 Ultra 5GEUV光刻技术在规模化和加速生产以及性能产量方面显示出了明显优势。

我们在三星GalaxyS21 5G系列中找到了D1z 12 Gb和D1z 16Gb LPDDR5芯片。S21 5G,S21 + 5G和S21 Ultra 5G刚刚于2021年1月发布。12 Gb LPDDR5芯片用于Samsung Galaxy S21 Ultra 5G SM-G998B / DS 12GB RAM,而16 Gb LPDDR5芯片用于S21 5G和S21 + 5G 8 GB DRAM存储器组件。

与先前的D1y 12 Gb版本相比,三星D1z 12 Gb LPDDR5 DRAM中使用的极紫外(EUV)光刻工艺已证明其生产效率提高了15%。D / R(设计规则)从17.1 nm(D1y)减小到15.7 nm(D1z)。12 Gb裸片尺寸也从53.53 mm 2(D1y)减小到43.98 mm 2(D1z),从而使裸片尺寸更小,比以前的版本缩小了约18%。

三星D1y和D1z LPDDR5芯片8Gb,12Gb,16Gb DRAM规格比较

三星将其最先进的D1z技术与EUV光刻技术一起使用在12Gb裸片上,裸片标记为K4L2E165YC。而采用DUV光刻技术的D1z 16Gb LPDDR5 DRAM裸片则标记为K4L6E165YB。D1z LPDDR5产品最初采用ArF-I(氩氟激光浸泡)和EUV(极紫外光)光刻技术。现在,他们采用EUV SNLP(存储节点焊盘)和BLP(位线焊盘)光刻技术生产所有D1z LPDDR5产品。 

美光D1z LPDDR4与三星D1z LPDDR5规格比较

制造商追求的竞争指标是更高的位密度,更小的管芯尺寸,先进的技术节点。通过与EUV一起使用D1z技术节点,与下表中所示的业界同行美光相比,三星已达到领先指标:

D1z DRAM 美光vs三星

*与美光D1z单元设计相比,三星进一步缩小了单元尺寸(三星0.00197 µ与美光0.00204  µ)和D/R(三星15.7 nm与美光15.9nm)。

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