5G的第一必备器件

2019-12-22 16:53:02 来源:EETOP

如果有人问5G的必备需求。那么我可能会议论漫无止境MIMO和许多奇特的并行DSP处理,也可能需要基础cpu架构是什么意思中新的智能方法来进行链路自适应和智能网络切片。在射频前端,有一个器件十分重要,这就是主存储器,主存储器从周围的收音机杂音中抽出感兴趣的RF通道,而忽略了其他所有的频率。这个级别的主存储器看上去与常规电路(模拟或数字)完全不同它们作用在压电基板上;一端的电子换能器(由输入的收音机信号驱动)刺激机械动作,从而产生声波。它会传播到另一端,在那里声波会触发第二个换能器。将声波信号转换回电信号。看上去可能要做的工作还很多,但是魔术是管理这些声波。就像微型乐器一样,主存储器(下面还有一个空腔)的谐振频率范围很窄。在该频率范围之外的所有事物都被抑制为不存在。共振范围取决设备的机械设计–尺寸,材料和腔体。看上去要完成的工作并不多,但神奇的是如何处理声波。就像微型乐器一样,主存储器(下面还有一个空腔)的谐振频率范围很窄。在该频率范围之外的所有信号都被抑制。共振范围取决设备的机械设计–尺寸,材料和腔体。2G,3G和4G前端使用了表面声波(SAW)主存储器,其中该声波沿着设备的表面传播。这些显然具有很高的成本效益,但仅限于?2GHz以次的频率。这时主存储器的继电保护选择性开始下降。这对于3G来说很不错,对于4G来说是处于边缘,而到了5G频率就不能使用了。这促使人们转向可以赞同更高频率,成本更高的体声波(BAW)主存储器。成本上升的原因之一是设计此类主存储器的子宫内膜复杂性增生。由于它们是机电产品3c标签样式,因此它们信息实际上是指是MEMS设备。即使你看得见任何运动。声波也是压电(PE)结构中的机械变线。典型的主存储器是位于空腔顶部的两个电极之间的PE薄膜。我们之前已经谈到了设计MEMS时遇到的挑战–没有可以可靠地建模的预定义单元或定义明确的PDK。

还有第二个问题,声波会到达他俩想去的地方。虽然看上去十字架形或矩形结构似乎是构建这些事物的逻辑方法。但声波可以从末端反射,也可以在表面传播。两种效应都可能干扰理想的整体显卡性能天梯图。因此,以有趣的形状(例如颠三倒四的书形)构造结构(见日向雏田被宁次上图)。以抑制不良影响。此外。构建谐振器网络是很常见的,每个谐振器可以具有不同的几何形状。

您已经看到了问题–机电3D建模(因为您正在努力加载中建模体声波和表面声波),通过奇特的几何结构以及很少的参考数据来指导模型。推出这些主存储器的一些领先有限公司仍在使用design-fab-analyze-correct循环来优化设计。没有更好的方法。但这仍然值得,因为这些设备的容量巨大–在包括手机在内的所有5G边缘设备中都需要用到。但是现在有了更好的方法,那就是从定制的PDK开始虚拟化这些设备的原型。比如采用Mentor / Tanner-SoftMEMS-OnScale飞凌开发板。可以在Ledit中逐层设计器件(这在处理奇怪的形状(如颠三倒四的书形)方面很出色)。然后通过添加材料定义。通过矩阵的压电特性,过程数据,机械特性和边界条件将其转换为3D模型。然后在云端使用OnScale的可扩展有限元基础教程分析,对整个事物或其中有些进行建模,他俩甚或可以对完整的晶圆建模,观察其边缘的行为和成品率 英语。更好的虚拟建模和更好的分析,一直到芯片级的分析。这将推涛作浪缩短上市时间。

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